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IRFR4105TRL	文件：4.78457 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105TRLPBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105TRPBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105Z	文件：206.97 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vds=55V,Rds(on)=24.5mohm,Id=30A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105Z	文件：1.07008 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105Z	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR4105ZLPBF	文件：335.84 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105ZPBF	文件：267.36 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105ZPBF	文件：4.25111 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105ZPBF	文件：335.84 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
ECW-F4105JLB
制造商：
Panasonic Electronic Components
類別：
電容器 > 薄膜電容器
系列：
ECW-F(L)
包裝：
帶盒（TB）
容差：
±5%
額定電壓 - DC：
400V
介電材料：
聚丙烯（PP），金屬化
工作溫度：
-40°C ~ 105°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
徑向
大小 / 尺寸：
0.906" 長 x 0.512" 寬（23.00mm x 13.00mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.976"（24.80mm）
端接：
PC 引腳
引線間距：
0.492"（12.50mm）
應用：
高頻率，開關(guān)
描述：
CAP FILM 1UF 5% 400VDC RADIAL

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更多ECW-F4105JLB供應商更新時間2025-7-28 9:30:00

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