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IRFR4105Z
廠商型號(hào)

IRFR4105Z

功能描述

Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)

文件大小

206.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

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更新時(shí)間

2025-8-16 23:01:00

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IRFR4105Z規(guī)格書(shū)詳情

AUTOMOTIVE MOSFET

描述 Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

特性 Features

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR4105Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
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一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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