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IRFR4105

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR4105

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR4105

55VN-ChannelMOSFET

Description UltraLowOn-Resistance FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=50V ID=27A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRFR4105PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR4105PBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRFR4105PBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR4105PBF

UltraLowOn-Resistance

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR4105PBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR4105PBF

UltraLowOn-Resistance

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IRF

International Rectifier

IRFR4105TR

55VN-ChannelMOSFET

Description UltraLowOn-Resistance FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=50V ID=27A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ECW-F4105JLB

  • 制造商：

    Panasonic Electronic Components

  • 類(lèi)別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    ECW-F(L)

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 容差：

    ±5%

  • 額定電壓 - DC：

    400V

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    0.906" 長(zhǎng) x 0.512" 寬（23.00mm x 13.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.976"（24.80mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    0.492"（12.50mm）

  • 應(yīng)用：

    高頻率，開(kāi)關(guān)

  • 描述：

    CAP FILM 1UF 5% 400VDC RADIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
PANASONIC
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢(xún)價(jià)
PANASONIC
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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PANASONIC
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電容器
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Panasonic Electronic Component
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全新、原裝
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PANASONIC/松下
2022+
DIP
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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PANASONIC/松下
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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PANASONIC/松下
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DIP
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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KEXIN/科信
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SMD DIP
475355779
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
更多ECW-F4105JLB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 9:30:00

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