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ISUM6016

FastRecoveryEpitaxialDiode

DESCRIPTION ·Planarpassivatedchips ·Lowleakagecurrent ·Veryshortrecoverytime ·Improvedthermalbehaviour ·VerylowIrm-values ·Verysoftrecoverybehaviour APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

LB6016E

DigitalOutputwithShutdownInput

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設(shè)備有限公司

LT6016

3.2MHz,0.8V/關(guān)sLowPower,Over-The-TopPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT6016

Dual/Quad3.2MHz,0.8V/關(guān)sLowPower,Over-The-TopPrecisionOpAmp

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

M6016

HEYbrid?StainlessSteelLiquidTightCordgrips

HeycoHeyco.

海科

M6016GBM-SM

TiteSolarMasthead?MetalLiquidTightCordgrips

HeycoHeyco.

?？?/span>

M6016GBW-SM

TiteSolarMasthead?MetalLiquidTightCordgrips

HeycoHeyco.

海科

M6016GCJ-SM

TiteSolarMasthead?MetalLiquidTightCordgrips

HeycoHeyco.

?？?/span>

MB6016

ProductSummaryPrototypingKits

OVERVIEW InordertosupportinitialdesignandprototypingactivitiesinvolvingMitelcomponents,anumberofancillarycomponentkitsareavailable.TheseincludethecomponentswhichareutilizedontheISDNEXPRESSfamilyofboardlevelproducts. Thesekitsareintendedforuseinsupporting

Mitel

Mitel Corporation

NIDAQPAD-6016

PortableHigh-PerformanceMultifunctionDAQforUSB

NI

National Instruments Inc.

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    Yes

  • Polarity：

    N+N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    60 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    7.6 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.9 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    19.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    28 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    8.4 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    17 nC

  • Packages：

    SO-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DIODES/美臺原裝特價DMTH6016LSD即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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