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DMTH6016LSD

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMTH6016LSDQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application?\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;

This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMTH6016LSD-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMTH6016LSDQ

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMTH6016LSDQ-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

EML-6016

EmergencyLight24VDCCentralBattery(OUTDOOR)

FeaturesandBenefits ?ULListed ?6WLED/50000h ?IP42protection ?Polycarbonatebody/black/white/grey ?Mounting:OnSidewall

TANDAUK

TANDA UK Limited.

EPF6016

ProgrammableLogicDeviceFamily

AlteraAltera Corporation

阿爾特阿爾特拉公司

EPF6016

ProgrammableLogicDeviceFamily

AlteraAltera Corporation

阿爾特阿爾特拉公司

EPF6016

ProgrammableLogicDeviceFamily

GeneralDescription

AlteraAltera Corporation

阿爾特阿爾特拉公司

EPF6016A

ProgrammableLogicDeviceFamily

GeneralDescription

AlteraAltera Corporation

阿爾特阿爾特拉公司

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    Yes

  • Polarity：

    N+N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    60 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    7.6 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.9 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    19.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    28 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    8.4 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    17 nC

  • Packages：

    SO-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMTH6016LSD供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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