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首頁(yè)>DMN5L06DWK-7>芯片詳情

DMN5L06DWK-7_DIODES/美臺(tái)半導(dǎo)體_MOSFET Dual N-Channel芯國(guó)創(chuàng)科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    DMN5L06DWK-7

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    DIODES/美臺(tái)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1110

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    19+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-31 15:01:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：DMN5L06DWK-7品牌：DIODES/美臺(tái)

  • 芯片型號(hào)：

    DMN5L06DWK-7

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    DIODES【美臺(tái)半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Diodes Incorporated

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大小：

    373.61 kb

  • 資料說(shuō)明：

    DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    DMN5L06DWK-7

  • 功能描述：

    MOSFET Dual N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯國(guó)創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    費(fèi)經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    13824359716

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    075528199452

  • 地址：

    深圳深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟5A05

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