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DMN5L06DWK-7中文資料美臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

DMN5L06DWK-7
廠商型號(hào)

DMN5L06DWK-7

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

145.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 15:01:00

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DMN5L06DWK-7規(guī)格書詳情

特性 Features

? Dual N-Channel MOSFET

? Low On-Resistance (1.0V Max)

? Very Low Gate Threshold Voltage

? Low Input Capacitance

? Fast Switching Speed

? Low Input/Output Leakage

? Ultra-Small Surface Mount Package

? ESD Protected up to 2kV

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    DMN5L06DWK-7

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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