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DMN1032UCP4中文資料MOSFET數(shù)據(jù)手冊Diodes規(guī)格書

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廠商型號

DMN1032UCP4

功能描述

MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-9 12:00:00

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DMN1032UCP4規(guī)格書詳情

描述 Description

This 2nd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(ON) per footprint area.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :DMN1032UCP4

  • 生產(chǎn)廠家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No

  • |VDS| (V)

    :12 V

  • |VGS| (±V)

    :8 ±V

  • |IDS| @TA?= +25°C (A)

    :5 A

  • PD @TA = +25°C (W)

    :1.01 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)

    :28 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)

    :32 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)

    :42 mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :0.4 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :1.2 V

  • QG?Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)

    :3.2 nC

  • CISS Typ (pF)

    :325 pF

  • CISS Condition @|VDS|?(V)

    :6 V

  • Packages

    :X1-DSN1010-4 (Type B)

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