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DMN1004UFV中文資料12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)Diodes規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
DMN1004UFV |
| 功能描述 | 12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名稱 | 美臺(tái)半導(dǎo)體 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-9 12:00:00 |
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描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized
Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products
Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product
ESD Protected Gate
應(yīng)用 Application
Power Management Functions
DC-DC Converters
Battery
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：DMN1004UFV
- 生產(chǎn)廠家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：12 V
- VGS
：8 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：N/A A
- PD @ TA = +25°C
：1.9 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：3.8 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：5.1 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：26 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：PowerDI3333-8 (Type UX)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美臺(tái) |
2511 |
DFN3.3x3.3 |
360000 |
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DIODES/美臺(tái) |
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詢價(jià) | ||
DIODES/美臺(tái) |
24+ |
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
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