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DMN1016UCB6中文資料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)Diodes規(guī)格書

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廠商型號(hào)

DMN1016UCB6

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-8 18:29:00

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DMN1016UCB6規(guī)格書詳情

描述 Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate
resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching
performance, making it ideal for high efficiency power management
applications

特性 Features

Low Qg & Qgd
Small Footprint
Low Profile 0.62mm height

應(yīng)用 Application

Battery Management
Load Switch
Battery Protection

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :DMN1016UCB6

  • 生產(chǎn)廠家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :12 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :6.6 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.47 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :U-WLB1510-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
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