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CSD95379Q3M數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動器規(guī)格書PDF

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廠商型號

CSD95379Q3M

參數(shù)屬性

CSD95379Q3M 封裝/外殼為10-PowerVFDFN;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動器;CSD95379Q3M應用范圍:同步降壓轉(zhuǎn)換器;產(chǎn)品描述:IC SYNC BUCK NEXFET 10VSON

功能描述

同步降壓 NexFE 功率級,CSD95379Q3M

封裝外殼

10-PowerVFDFN

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 11:02:00

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CSD95379Q3M規(guī)格書詳情

描述 Description

CSD95379Q3M NexFET 功率級的設計經(jīng)過高度優(yōu)化,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。 這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術來完善功率級開關功能。 此驅(qū)動器 IC 具有一個內(nèi)置可選二極管仿真功能,此功能可啟用斷續(xù)傳導模式 (DCM) 運行來提升輕負載效率。 此外,驅(qū)動器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持針對 Windows 8 的聯(lián)網(wǎng)待機功能。借助于三態(tài) PWM 輸入,靜態(tài)電流可減少至 130μA,并支持立即響應。 當 SKIP# 保持在三態(tài)時,電流可減少至 8μA(恢復切換通常需要 20μs)。 這個組合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封裝中提供高電流、高效和高速開關功能。 此外,PCB 封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設計時間并簡化總體系統(tǒng)設計的完成。

特性 Features

? 12A 電流下的系統(tǒng)效率達 92.5%
? 12A 電流時 1.8W 的超低功率損耗
? 最大額定持續(xù)電流為 20A,峰值電流為 45A
? 高頻運行(高達 2MHz)
? 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線封裝 (SON) 尺寸
? 超低電感封裝
? 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電路板 (PCB) 封裝
? 低靜態(tài) (LQ) 和超低靜態(tài) (ULQ) 電流模式
? 與 3.3V 和 5V 脈寬調(diào)制 (PWM) 信號兼容
? 支持強制連續(xù)傳導模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
? 三態(tài) PWM 輸入
? 集成型自舉二極管
? 擊穿保護
? 符合 RoHS 標準 - 無鉛引腳鍍層
? 無鹵素

應用 Application

NVDC筆記本電腦/超極本PC
平板電腦
網(wǎng)絡互聯(lián)、電信和計算系統(tǒng)中的負載點同步降壓

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD95379Q3M

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Power loss (W)

    :1.8

  • Ploss current (A)

    :12

  • Configuration

    :PowerStage

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :20

  • Package (mm)

    :SON3x3 PowerStage

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 150

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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