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CSD87501L數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD87501L

功能描述

采用 LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路共漏極、5.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 18:17:00

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CSD87501L規(guī)格書詳情

描述 Description

此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 雙路 NexFET?功率 MOSFET 旨在以小外形封裝最大程度地降低電阻和柵極電荷。該器件具有小尺寸和共漏極配置,非常適用于多節(jié)電池組 應(yīng)用 和小型手持設(shè)備。





特性 Features

? 低導(dǎo)通電阻
? 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
? 超薄 – 高 0.2mm
? 無鉛
? 符合 RoHS
? 無鹵素
? 柵極 ESD 保護(hù)

應(yīng)用 Application

電池管理
電池保護(hù)
USBC型/PD

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD87501L

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :5.5

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :3.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :72

  • QG typ (nC)

    :15

  • QGD typ (nC)

    :6

  • Package (mm)

    :LGA 3.4x1.5mm

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :14

  • ID - package limited (A)

    :14

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI
20+
LGA
287
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TI(德州儀器)
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NA
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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TI(德州儀器)
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TI/德州儀器
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TI/德州儀器
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