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CSD87503Q3E數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
CSD87503Q3E |
功能描述 | 采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、21.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名稱(chēng) | 德州儀器 美國(guó)德州儀器公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-12 12:00:00 |
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描述 Description
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源極、雙路 N 溝道器件,專(zhuān)為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏極至漏極導(dǎo)通電阻,可最大限度地較少損耗,且具有較少的組件數(shù)量,適用于空間受限的 應(yīng)用。
特性 Features
? 雙 N 溝道共源極 MOSFET
? 針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化
? 低熱阻
? 低 Qg 和 Qgd
? 無(wú)鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素
? 小外形尺寸無(wú)引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
:CSD87503Q3E
- 生產(chǎn)廠家
:TI
- Configuration
:Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:21.9
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:89
- QG typ (nC)
:13.4
- QGD typ (nC)
:5.8
- Package (mm)
:SON3x3
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:10
- ID - package limited (A)
:10
- Logic level
:Yes
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/ |
24+ |
VSON8 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
2021+ |
VSON-8 |
499 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
24+ |
VSON-8 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
VSON8 |
23047 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
2450+ |
VSON8 |
6540 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
8-VDFN |
4192 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
23+ |
SON8 |
7800 |
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
23+ |
VSON8 |
12800 |
公司只有原裝 歡迎來(lái)電咨詢(xún)。 |
詢(xún)價(jià) |