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CSD85302L數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD85302L

功能描述

采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路共漏極、24mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 15:32:00

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CSD85302L規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合柵格陣列 (LGA) 封裝的雙路NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 設(shè)計為在最小外形尺寸中最大限度地降低電阻。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置,非常適合小型手持設(shè)備中 由電池供電的 應(yīng)用。

特性 Features

? 共漏極配置
? 低導(dǎo)通電阻
? 1.35mm × 1.35mm 小外形封裝
? 無鉛且無鹵素
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 人體放電模式 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護 > 2.5kV

應(yīng)用 Application

USBType-C/PD
電池管理
電池保護

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD85302L

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :24

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :37

  • QG typ (nC)

    :6

  • QGD typ (nC)

    :1.4

  • Package (mm)

    :LGA 1.35x1.35mm

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :7

  • ID - package limited (A)

    :7

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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