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CSD17381F4數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17381F4

功能描述

采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 11:10:00

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CSD17381F4規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 90mΩ,30V N 通道 FemtoFET?MOSFET 技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計和優(yōu)化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應(yīng)用中的 封裝尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小 60% 以上。

特性 Features

? 超低導(dǎo)通電阻
? 超低 Qg 和 Qgd
? 低閾值電壓
? 超小型封裝尺寸(0402 外殼尺寸)
? 1.0mm × 0.6mm

? 超薄
? 高度 0.35mm

? 集成型靜電放電 (ESD) 保護二極管
? 額定值 > 4kV 人體放電模型 (HBM)
? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)

? 無鉛且無鹵素
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
針對通用開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
單節(jié)電池應(yīng)用
手持式和移動類應(yīng)用

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17381F4

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :117

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :109

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :10

  • QG typ (nC)

    :1.04

  • QGD typ (nC)

    :0.133

  • Package (mm)

    :LGA 1.0x0.6mm

  • VGS (V)

    :12

  • VGSTH typ (V)

    :0.85

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :3.1

  • ID - package limited (A)

    :3.1

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/德州儀器
23+
SMD
666655
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
TI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
24+
N/A
57000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
Texas Instruments
25+
PICOSTAR3
18000
TI優(yōu)勢渠道,大量原裝庫存現(xiàn)貨,交期快,歡迎詢價。
詢價
TI/德州儀器
23+
PICOSTAR3
18204
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
TI/德州儀器
2447
SMD
100500
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TI/德州儀器
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TI
22+
QFN
8096
倉庫現(xiàn)貨,終端可送樣品
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TI/德州儀器
23+
DFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TI
2025+
PicoStar-3
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
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