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CSD17575Q3數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17575Q3

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 19:12:00

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CSD17575Q3規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 1.9mΩ,30V,SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。 頂視圖 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 45°C/W,這是在一塊厚度為 0.060 英寸的 FR4 印刷電路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司銅過渡墊片上測得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W,脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

? 低 Qg 和 Qgd
? 低 RDS(on)
? 低熱阻
? 雪崩級
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計(jì)算系統(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器
已針對同步場效應(yīng)晶體管(FET)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17575Q3

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :3.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.3

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :240

  • QG typ (nC)

    :23

  • QGD typ (nC)

    :5.4

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :182

  • ID - package limited (A)

    :60

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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