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CMPA2735075F1開發(fā)板套件編程器的射頻評估開發(fā)套件開發(fā)板規(guī)格書PDF中文資料

CMPA2735075F1
廠商型號

CMPA2735075F1

參數(shù)屬性

CMPA2735075F1 包裝為盒;類別為開發(fā)板套件編程器的射頻評估開發(fā)套件開發(fā)板;產(chǎn)品描述:AMPLIFIER, 2.7-3.5GHZ, GAN MMIC

功能描述

75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier
AMPLIFIER, 2.7-3.5GHZ, GAN MMIC

文件大小

1.90341 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 9:38:00

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CMPA2735075F1規(guī)格書詳情

CMPA2735075F1屬于開發(fā)板套件編程器的射頻評估開發(fā)套件開發(fā)板。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CMPA2735075F1射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板本系列中的產(chǎn)品適用于在已知實施環(huán)境中,提供能訪問射頻相關器件的功能或者有助于訪問該功能。所含的焦點產(chǎn)品范圍從射頻信號鏈元器件(如放大器和檢測器)到模塊化收發(fā)器,以及不直接包含焦點產(chǎn)品的適配器硬件,但此類硬件可供方便地訪問用戶單獨提供的特定射頻產(chǎn)品或系列。

描述 Description

Wolfspeed’s CMPA2735075F1 is a gallium nitride (GaN) High

Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave

integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared

to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown

voltage, higher saturated electron drift velocity and higher

thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density

and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This

MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier design

approach enabling very wide bandwidths to be achieved.

特性 Features

? 29 dB Small Signal Gain

? 76 W Typical PSAT

? 28 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? 0.5” x 0.5” Total Product Size

Applications

? Civil and Military Pulsed

Radar Amplifiers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CMPA2735075F1-AMP

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    開發(fā)板,套件,編程器 > 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

  • 類型:

    放大器

  • 頻率:

    2.7GHz ~ 3.5GHz

  • 配套使用/相關產(chǎn)品:

    CMPA2735075F1

  • 所含物品:

  • 描述:

    AMPLIFIER, 2.7-3.5GHZ, GAN MMIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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