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CMPA2735030SRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

CMPA2735030S
廠商型號

CMPA2735030S

參數屬性

CMPA2735030S 封裝/外殼為32-VFQFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產品描述:30W GAN MMIC PA, 50V, 2.7-3.5GHZ

功能描述

30 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier
30W GAN MMIC PA, 50V, 2.7-3.5GHZ

封裝外殼

32-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

1.45261 Mbytes

頁面數量

17

生產廠商

WOLFSPEED

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-5 18:31:00

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CMPA2735030S規(guī)格書詳情

CMPA2735030S屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由WOLFSPEED, INC.制造生產的CMPA2735030S射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產品可用于信號增益和緩沖。這些產品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

描述 Description

Cree’s CMPA2735030S is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility

Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit

(MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium

arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron

drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer

greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs

transistors. This MMIC contains a two-stage reactively matched amplifier

design approach enabling high power and power added efficiency to be

achieved in a 5mm x 5mm, surface mount (QFN package).

特性 Features

? 32 dB Small Signal Gain

? Operation up to 50 V

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? 5 mm x 5 mm Total Product Size

Applications

? Civil and Military Pulsed Radar Amplifiers

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    CMPA2735030S

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    2.7GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    34.5dB

  • 射頻類型:

    雷達

  • 電壓 - 供電:

    50V

  • 電流 - 供電:

    135mA

  • 測試頻率:

    3.1GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    30W GAN MMIC PA, 50V, 2.7-3.5GHZ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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