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CGH40180PP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
CGH40180PP |
參數(shù)屬性 | CGH40180PP 封裝/外殼為440199;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440199 |
功能描述 | 180 W, RF Power GaN HEMT |
封裝外殼 | 440199 |
文件大小 |
6.17836 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-11 18:15:00 |
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CGH40180PP規(guī)格書詳情
CGH40180PP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH40180PP晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
Wolfspeed's CGH40180PP is an unmatched, gallium
nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The
CGH40180PP, operating from a 28 volt rail, offers a general
purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave
applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain and
wide bandwidth capabilities making the CGH40180PP ideal
for linear and compressed amplifier circuits. The transistor is
available in a 4-lead flange package.
特性 Features
? Up to 2.5 GHz Operation
? 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz
? 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
? 220 W typical PSAT
? 70 Efficiency at PSAT
? 28 V Operation
Large Signal Models Available for ADS and MWO
Applications
? 2-Way Private Radio
? Broadband Amplifiers
? Cellular Infrastructure
? Test Instrumentation
? Class A, AB, Amplifiers suitable for OFDM,
W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
CGH40180PP
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
0Hz ~ 2.5GHz
- 增益:
19dB
- 額定電流(安培):
56A
- 功率 - 輸出:
220W
- 封裝/外殼:
440199
- 供應(yīng)商器件封裝:
440199
- 描述:
RF MOSFET HEMT 28V 440199
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Cree |
21+ |
高頻管 |
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