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CGH40120P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGH40120P
廠商型號

CGH40120P

參數(shù)屬性

CGH40120P 封裝/外殼為440206;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ,

功能描述

120 W, RF Power GaN HEMT
120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ,

封裝外殼

440206

文件大小

1.45256 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 20:00:00

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CGH40120P規(guī)格書詳情

CGH40120P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH40120P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN)

high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P,

operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband

solution to a variety of RF and microwave applications. GaN

HEMTs offer high efficiency, high gain and wide bandwidth

capabilities making the CGH40120P ideal for linear and

compressed amplifier circuits. The transistor is available in a

metal-ceramic pill package.

Large Signal Models Available for ADS and MWO

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Cellular Infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,

W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

特性 Features

? Up to 2.5 GHz Operation

? 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz

? 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

? 120 W Typical PSAT

? 70 Efficiency at PSAT

? 28 V Operation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CGH40120P

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.5GHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    440206

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    440206

  • 描述:

    120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ,

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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