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CGH40090PP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CGH40090PP
廠商型號(hào)

CGH40090PP

參數(shù)屬性

CGH40090PP 封裝/外殼為440199;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440199

功能描述

90 W, RF Power GaN HEMT
RF MOSFET HEMT 28V 440199

封裝外殼

440199

文件大小

1.69173 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 19:11:00

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CGH40090PP規(guī)格書詳情

CGH40090PP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH40090PP晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Cree’s CGH40090PP is an unmatched, gallium nitride (GaN) high

electron mobility transistor (HEMT). The CGH40090PP, operating

from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution

to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs

offer high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities

making the CGH40090PP ideal for linear and compressed

amplifier circuits. The transistor is available in a 4-lead flange

package

特性 Features

? Up to 2.5 GHz Operation

? 16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

? 100 W Typical PSAT

? 55 Efficiency at PSAT

? 28 V Operation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CGH40090PP

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    0Hz ~ 4GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 額定電流(安培):

    28A

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    440199

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    440199

  • 描述:

    RF MOSFET HEMT 28V 440199

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CREE
三年內(nèi)
1983
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