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CG2H80120D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CG2H80120D
廠商型號

CG2H80120D

參數(shù)屬性

CG2H80120D 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2

功能描述

120 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die
120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2

封裝外殼

模具

文件大小

1.18029 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標識
WOLFSPEED
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 16:19:00

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CG2H80120D規(guī)格書詳情

CG2H80120D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CG2H80120D晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Wolfspeed’s CG2H80120D is a gallium nitride (GaN) High

Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior

properties compared to silicon or gallium arsenide,

including higher breakdown voltage, higher saturated

electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

GaN HEMTs offer greater power density and wider

bandwidths compared to Si and GaAs transistors

特性 Features

? 15 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz

? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz

? 120 W Typical PSAT

? 28 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? Up to 8 GHz Operation

? High Efficiency

? Bare die are shipped in Gel-Pak? containers

? Non-adhesive tacky membrane immobilizes die during shipment

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Cellular Infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,

W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CG2H80120D-GP4

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    8GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    28A

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
OK
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