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CG2H40120F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CG2H40120F
廠商型號

CG2H40120F

參數(shù)屬性

CG2H40120F 封裝/外殼為440223;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

功能描述

120 W, 28 V, RF Power GaN HEMT
120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

封裝外殼

440223

文件大小

1.2828 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標識
WOLFSPEED
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 14:46:00

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CG2H40120F規(guī)格書詳情

CG2H40120F屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CG2H40120F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Wolfspeed’s CG2H40120 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron

mobility transistor (HEMT). The CG2H40120, operating from a 28 volt rail,

offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave

applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain and wide bandwidth

capabilities making the CG2H40120 ideal for linear and compressed amplifier

circuits. The transistor is available in a flange and pill package.

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Test Instrumentation

特性 Features

? Up to 2.5 GHz Operation

? 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz

? 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

? 130 W Typical PSAT

? 70 Efficiency at PSAT

? 28 V Operation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CG2H40120F

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.5GHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    28A

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    440223

  • 供應商器件封裝:

    440223

  • 描述:

    120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

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