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CG2H80060D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

CG2H80060D

參數(shù)屬性

CG2H80060D 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF DISCRETE

功能描述

60 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die
RF DISCRETE

封裝外殼

模具

文件大小

1.38901 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-23 22:59:00

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CG2H80060D規(guī)格書詳情

CG2H80060D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CG2H80060D晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

Wolfspeed’s CG2H80060D is a gallium nitride (GaN) High

Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior

properties compared to silicon or gallium arsenide,

including higher breakdown voltage, higher saturated

electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

GaN HEMTs offer greater power density and wider

bandwidths compared to Si and GaAs transistors

特性 Features

? 15 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz

? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz

? 60 W Typical PSAT

? 28 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? Up to 8 GHz Operation

? High Efficiency

? Bare die are shipped in Gel-Pak? containers

? Non-adhesive tacky membrane immobilizes die during shipment

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Cellular Infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,

W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CG2H80060D-GP4

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    8GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    14A

  • 功率 - 輸出:

    60W

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    RF DISCRETE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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