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BSM75GAL120DN2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BSM75GAL120DN2 |
參數(shù)屬性 | BSM75GAL120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W |
功能描述 | 英飛凌IGBT模塊 BSM75GAL120DN2 |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
87.64 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
資料整理 | 蘇州銀邦電子科技有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-1 16:32:00 |
人工找貨 | BSM75GAL120DN2價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BSM75GAL120DN2規(guī)格書詳情
BSM75GAL120DN2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSM75GAL120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BSM75GAL120DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- 配置:
單開關(guān)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,75A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 105A 625W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
module |
55 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
320 |
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詢價(jià) | ||
INF |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
AG-34MM-1 |
19850 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
英飛凌|Infineon |
21+ |
模塊 |
12588 |
原裝正品,一級(jí)品牌代理 |
詢價(jià) |