BDT61C分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BDT61C |
| 參數(shù)屬性 | BDT61C 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN DARL 120V 4A TO220 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistors |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
264.11 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-4 16:46:00 |
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BDT61C規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A
? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C
? Complement to Type BDT60/A/B/C
APPLICATIONS
? Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications
產品屬性
- 產品編號：
BDT61C-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 6mA，1.5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 120V 4A TO220
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3310 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
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詢價 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價 | |||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ST |
1822+ |
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ST |
22+ |
TO-220 |
25000 |
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Bourns Inc. |
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20+ |
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