BDT61B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BDT61B |
參數(shù)屬性 | BDT61B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 4A TO220 |
功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistors |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
264.11 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 20:00:00 |
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BDT61B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A
? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C
? Complement to Type BDT60/A/B/C
APPLICATIONS
? Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BDT61B-S
- 制造商:
Bourns Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 6mA,1.5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 1.5A,3V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO220
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
10 |
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ST |
25+ |
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TO-220 |
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24+ |
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