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BDT61B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDT61B
廠商型號

BDT61B

參數(shù)屬性

BDT61B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 4A TO220

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistors

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

264.11 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
ISC
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 20:00:00

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BDT61B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A

? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C

? Complement to Type BDT60/A/B/C

APPLICATIONS

? Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BDT61B-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 6mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 4A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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