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BDT60C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDT60C
廠商型號

BDT60C

參數(shù)屬性

BDT60C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

功能描述

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

719.45 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Transys Electronics
企業(yè)簡稱

TRSYS

中文名稱

Transys Electronics官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TRSYS
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-4 18:35:00

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BDT60C規(guī)格書詳情

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C

● 50 W at 25°C Case Temperature

● 4 A Continuous Collector Current

● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BDT60C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 6mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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