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BC859CW分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC859CW
廠商型號

BC859CW

參數(shù)屬性

BC859CW 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

功能描述

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

273.23 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

SIEMENS

中文名稱

西門子

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 20:00:00

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BC859CW規(guī)格書詳情

特性 Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 847W, BC 848W, BC 849W, BC 850W (NPN)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BC859CW,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

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