BC859C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BC859C |
| 參數(shù)屬性 | BC859C 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistors |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
218.06 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-4 19:15:00 |
| 人工找貨 | BC859C價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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BC859C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BC859C晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
PNP Silicon AF Transistors
? For AF input stages and driver applications
? High current gain
? Low collector-emitter saturation voltage
? Low noise between 30 Hz and 15 kHz
? Complementary types: BC846, BC847, BC848, BC849, BC850 (NPN)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BC859CE6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類(lèi)型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
250MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT23
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
600000 |
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