BC859C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BC859C |
參數(shù)屬性 | BC859C 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
功能描述 | PNP general purpose transistors |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
46.38 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | PHI |
中文名稱 | 飛利浦 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-4 18:12:00 |
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BC859C規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complements: BC849 and BC850.
FEATURES
? Low current (max. 100 mA)
? Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
? Low noise input stages of audio frequency equipment.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BC859C,235
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
420 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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PHI |
2023+ |
SMD |
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