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BC847S

DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BC847S

SOT-363Plastic-=EncapsulateTransistors

APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BC847S

Plastic-EncapsulateTransistors

Features ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications ?HighStabilityandHighReliability

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC847S-A

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC847S-B

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC847S-C

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V

FS

First Silicon Co., Ltd

BC847SH

200mW,DualNPNSmallSignalTransistor

FEATURES AEC-Q101qualified General-purposetransistors Idealforautomatedplacement Moisturesensitivitylevel:level1,perJ-STD-020 RoHSCompliant Halogen-free APPLICATIONS Generalswitchingandamplification

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

BC847T

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment ?Electronicdataproce

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC847T

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847T

45V,100mANPNgeneral-purposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    Yes

  • Product Type：

    NPN + PNP

  • IC：

    0.1 A

  • ICM：

    0.2 A

  • PD：

    0.2 W

  • hFE：

    200 Min

  • hFE (@ IC)：

    0.002 A

  • hFE (@ IC2)：

    N/A A

  • VCE (SAT) Max：

    250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：

    0.1/5

  • VCE (SAT) (Max.2)：

    600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：

    0.01/0.5

  • fT：

    100 MHz

  • RCE(SAT)：

    N/A mΩ

  • Packages：

    SOT363

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC847PNQ供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:01:00

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