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BC847S

Multi-ChipTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847S

Multi-chiptransistor(NPN)

Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArrays

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

SMDGeneralPurposeDualNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

Multi-ChipTRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

BC847S

DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BC847S

DUALTRANSISTOR(NPNNPN)

DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

BC847S

SMDGeneralPurposeNPNTransistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    Yes

  • Product Type：

    NPN + PNP

  • IC：

    0.1 A

  • ICM：

    0.2 A

  • PD：

    0.2 W

  • hFE：

    200 Min

  • hFE (@ IC)：

    0.002 A

  • hFE (@ IC2)：

    N/A A

  • VCE (SAT) Max：

    250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：

    0.1/5

  • VCE (SAT) (Max.2)：

    600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：

    0.01/0.5

  • fT：

    100 MHz

  • RCE(SAT)：

    N/A mΩ

  • Packages：

    SOT363

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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SOT-363
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三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
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更多BC847PNQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:01:00

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