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BC847RAPN

45V,100mANPN/PNPgeneral-purposedoubletransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BC847S

NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier

NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BC847S

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArray

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain)

NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC847S

NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

BC847S

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier

Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

BC847S

DualGeneralPurposeTransistor

DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC847S

NPNSiliconAFTransistorArrays

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    Yes

  • Product Type：

    NPN + PNP

  • IC：

    0.1 A

  • ICM：

    0.2 A

  • PD：

    0.2 W

  • hFE：

    200 Min

  • hFE (@ IC)：

    0.002 A

  • hFE (@ IC2)：

    N/A A

  • VCE (SAT) Max：

    250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：

    0.1/5

  • VCE (SAT) (Max.2)：

    600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：

    0.01/0.5

  • fT：

    100 MHz

  • RCE(SAT)：

    N/A mΩ

  • Packages：

    SOT363

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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2447
SOT363
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一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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YANGJIE
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SOT-363
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原廠直銷全新原裝正品現(xiàn)貨 歡迎選購
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YANGJIE(揚(yáng)杰)
23+
SOT-363
2810
三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)
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2511
SOT363
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SMD
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DIODES原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SOT-363
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Diodes(美臺)
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更多BC847PNQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:01:00

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