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APTGF50TL60T3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APTGF50TL60T3G |
| 參數(shù)屬性 | APTGF50TL60T3G 封裝/外殼為SP3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3 |
| 功能描述 | Three level inverter NPT IGBT Power Module |
| 封裝外殼 | SP3 |
| 文件大小 |
244.33 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-17 16:38:00 |
| 人工找貨 | APTGF50TL60T3G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
APTGF50TL60T3G規(guī)格書詳情
APTGF50TL60T3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGF50TL60T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
APTGF50TL60T3G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
NPT
- 配置：
三級(jí)反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.45V @ 15V，50A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SP3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SP3
- 描述：
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
50A/1200V/IG |
50 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售! |
詢價(jià) | ||
ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
Microsemi Corporation |
2022+ |
SP3 |
38550 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
13+/14+ |
MODULE SP3 |
90 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
21+ |
DIP |
55 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
50A/1200V/IG |
5650 |
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詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
50A/1200V/IGBT/6U |
6540 |
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MICROSEMI |
23+ |
MODULE SP3 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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Microsemi Corporation |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
2000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
詢價(jià) |
