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AO8818L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO8818L
廠商型號(hào)

AO8818L

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

150.54 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-16 9:43:00

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AO8818L規(guī)格書詳情

General Description

The AO8818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8818 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8818L is a Green Product ordering option. AO8818 and AO8818L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 7A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 18m? (VGS = 10V)

RDS(ON) < 20m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

ESD Rating: 1500V HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO8818L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AO/萬代
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