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Marking：80N3LLH6；Package：PowerFLAT5x6；N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6t | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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