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STL80N3LLH6

Marking:80N3LLH6;Package:PowerFLAT5x6;N-channel 30 V, 0.0046, 21 A PowerFLAT 5x6 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness ■Lowgatedrivepowerlosses ■Verylowswitchinggatecharge Application ■Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6t

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    STL80N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 0.0046 Ohm 21A STripFET VI Deep

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STL80N3LLH6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 18:10:00