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70P269L90BYGI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70P269L90BYGI |
| 參數屬性 | 70P269L90BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA |
| 功能描述 | VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 100-TFBGA |
| 文件大小 |
151.32 Kbytes |
| 頁面數量 |
22 頁 |
| 生產廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網址 | |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-17 20:00:00 |
| 人工找貨 | 70P269L90BYGI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
70P269L90BYGI規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ Both ports configurable to standard SRAM or timemultiplexed
address/data interface
◆ High-speed access
– Industrial: 65ns (max.), ADM mode
– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode
◆ Low-power operation
IDT70P269/259/249L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6μW (typ.)
◆ Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's
產品屬性
- 產品編號：
70P269L90BYGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲容量：
256Kb（16K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
90ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-TFBGA
- 供應商器件封裝：
100-CABGA（6x6）
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST |
25+ |
N/A |
200000 |
專注連接器,連接一切可能 |
詢價 | ||
JST/日壓 |
2508+ |
/ |
337362 |
一級代理，原裝現貨 |
詢價 | ||
JST/日壓 |
22+ |
連接器 |
728922 |
代理-優(yōu)勢-原裝-正品-現貨*期貨 |
詢價 | ||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
100-LQFP |
8600 |
只供原裝進口公司現貨+可訂貨 |
詢價 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
60-VFBGA |
5280 |
進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經營 |
詢價 | ||
IBM |
23+ |
BGA |
3000 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
JST |
23+ |
NA |
75000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
Renesas |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現貨,提供拆樣技術支持 |
詢價 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
100-CABGA(6x6) |
56200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
JST |
ROHS |
13352 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 |
