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70P259L65BYGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

70P259L65BYGI
廠商型號(hào)

70P259L65BYGI

參數(shù)屬性

70P259L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA;包裝為托盤(pán);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA

功能描述

VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

100-TFBGA

文件大小

151.32 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 22:28:00

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70P259L65BYGI規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ Both ports configurable to standard SRAM or timemultiplexed

address/data interface

◆ High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

◆ Low-power operation

IDT70P269/259/249L

Active: 27mW (typ.)

Standby: 3.6μW (typ.)

◆ Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70P259L65BYGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    128Kb(8K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    65ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-CABGA(6x6)

  • 描述:

    IC SRAM 128KBIT PAR 100CABGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IDT
1836+
BGA
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