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70P269L65BYGI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70P269L65BYGI |
| 參數(shù)屬性 | 70P269L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA |
| 功能描述 | VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 100-TFBGA |
| 文件大小 |
151.32 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-17 15:38:00 |
| 人工找貨 | 70P269L65BYGI價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
70P269L65BYGI規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ Both ports configurable to standard SRAM or timemultiplexed
address/data interface
◆ High-speed access
– Industrial: 65ns (max.), ADM mode
– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode
◆ Low-power operation
IDT70P269/259/249L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6μW (typ.)
◆ Supports 3.0V, 2.5V and 1.8V I/O's
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70P269L65BYGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲(chǔ)容量：
256Kb（16K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
65ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-CABGA（6x6）
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
100-LQFP |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價(jià) | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
168-WFBGA |
5280 |
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營 |
詢價(jià) | ||
IBM |
23+ |
BGA |
3000 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價(jià) | ||
Renesas |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
100-CABGA(6x6) |
56200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
JST |
ROHS |
13352 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) | |||
IDT |
2450+ |
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Renesas Electronics America In |
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