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2SD2012

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) ?Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

2SD2012

NPN Silicon Power Transistors

Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2012

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SD2012

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SD2012

Marking：2SD2012；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SD2012

Audio Frequency Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SD2012

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
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更多2SD2012供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 14:00:00

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