2SD2012分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SD2012 |
| 參數(shù)屬性 | 2SD2012 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F |
| 功能描述 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
228.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 17:41:00 |
| 人工找貨 | 2SD2012價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
2SD2012規(guī)格書詳情
2SD2012屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的2SD2012晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications.
■ HIGH DC CURRENT GAIN
■ LOW SATURATION VOLTAGE
■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING
APPLICATIONS
■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS
■ GENERAL PURPOSE SWITCHING
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
2SD2012
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
3MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220F
- 描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
1844+ |
TO-220F |
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