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2SD2012分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SD2012
廠商型號

2SD2012

參數(shù)屬性

2SD2012 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F

功能描述

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

165.91 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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2SD2012規(guī)格書詳情

Audio Frequency Power Amplifier Applications

? Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (typ.) (IC= 2A / IB= 0.2A)

? High power dissipation: PC= 25 W (Tc = 25°C)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SD2012

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220F

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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