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2N5190分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5190
廠商型號

2N5190

參數屬性

2N5190 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 40V 4A TO126

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER
TRANS NPN 40V 4A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

61.3 Kbytes

頁面數量

1

生產廠商

CENTRAL

中文名稱

美國中央半導體

網址

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更新時間

2025-8-13 23:01:00

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2N5190規(guī)格書詳情

2N5190屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由美國中央半導體制造生產的2N5190晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5190, 2N5191, and 2N5192 are Silicon NPN Expitaxial Base Power Transistors designed for Medium power amplifer and switching applications.

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2N5190

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.4V @ 1A,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1.5A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 4A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
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原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
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