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2N5179分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N5179
廠商型號(hào)

2N5179

參數(shù)屬性

2N5179 封裝/外殼為TO-206AF,TO-72-4 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

功能描述

VHF/UHF AMPLIFIER

封裝外殼

TO-206AF,TO-72-4 金屬罐

文件大小

42.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-14 13:40:00

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2N5179規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The 2N5179 is a silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-72 metal case, intended for low noise tuned-amplifier and converter applications up to 500 MHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5179

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    4.5dB @ 200MHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    300mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 3mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AF,TO-72-4 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-72

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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