2N5179分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N5179 |
| 參數(shù)屬性 | 2N5179 封裝/外殼為TO-206AF，TO-72-4 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 |
| 文件大小 |
117.23 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | MICRO-ELECTRONICS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 10:14:00 |
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2N5179規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
2N 5179 is designed for use in high gain, low-noise amplifier, oscillator and mixer circuits. It is also suitable for UHF converter applications. It features high gain-bandwidth product, low noise and low collector-base time constant.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N5179
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
200MHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
4.5dB @ 200MHz
- 增益：
20dB
- 功率 - 最大值：
300mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
50mA
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-206AF，TO-72-4 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-72
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST原現(xiàn) |
22+ |
TO-72 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
MOT |
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