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Marking：20M1H024；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=89AatTc=25°C ?RDS(on)=24mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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