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IMYH200R024M1H	文件：1.85569 Mbytes Page：16 Pages	Marking：20M1H024；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=89AatTc=25°C ?RDS(on)=24mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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IMYH200R024M1H

文件：1.85569 Mbytes

Page：16 Pages

Marking：20M1H024；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=89AatTc=25°C ?RDS(on)=24mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalp

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

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