1N6819R中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
1N6819R |
| 功能描述 | LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE |
| 文件大小 |
88.81 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 16:15:00 |
| 人工找貨 | 1N6819R價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
1N6819R規(guī)格書詳情
特性 Features
● Tungsten schottky barrier
● Oxide passivated structure for very low leakage currents
● Guard ring protection for increased reverse energy capability
● Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
● Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package
● Low package inductance
● Very low thermal resistance
● Available as standard polarity (strap is anode: 1N6819) and reverse
polarity (strap is cathode: 1N6819R)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
1N6819R
- 制造商：
MICROSEMI
- 制造商全稱：
Microsemi Corporation
- 功能描述：
LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VMI |
2022+ |
DIP |
8000 |
只做原裝支持實(shí)單,有單必成。 |
詢價(jià) | ||
VMI |
23+ |
DIP |
12000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
VMI |
24+ |
N/A |
8000 |
一級(jí)代理現(xiàn)貨、保證進(jìn)口原裝正品假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
25+ |
ThinKey?4 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
Microsemi |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價(jià) | ||
VMI |
2023+ |
DIP |
50000 |
AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
26 |
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詢價(jià) |
